Infineon Technologies - SPI20N65C3XKSA1

KEY Part #: K6409470

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    Artikelnummer:
    SPI20N65C3XKSA1
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPI20N65C3XKSA1 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SPI20N65C3XKSA1
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
    Serie : CoolMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20.7A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 13.1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 114nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 208W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : PG-TO262-3-1
    Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA