IXFX360N10T Preise (USD) [10810Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFX360N10T
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule, Dioden - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IXFX360N10T Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFX360N10T
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
Serie :
GigaMOS™ HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
360A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
525nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
33000pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1250W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS247™-3
Paket / fall :
TO-247-3
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