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- Artikelnummer:
- RFD4N06LSM9A
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 4A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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RFD4N06LSM9A Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RFD4N06LSM9A
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
30W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252AA
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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