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- Artikelnummer:
- SPN02N60C3
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SPN02N60C3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPN02N60C3
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
400mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 80µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
200pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT223-4
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
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