GA50JT06-258 Preise (USD) [140Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- GA50JT06-258
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS SJT 600V 100A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
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GA50JT06-258 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
GA50JT06-258
Hersteller :
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung :
TRANS SJT 600V 100A
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
-
Technologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
769W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-258
Paket / fall :
TO-258-3, TO-258AA
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