RD3H045SPFRATL Preise (USD) [186282Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RD3H045SPFRATL
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- RD3H045SPFRA IS A POWER MOSFET W.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - JFETs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
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RD3H045SPFRATL Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RD3H045SPFRATL
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
RD3H045SPFRA IS A POWER MOSFET W
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
45V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
550pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
15W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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