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ON Semiconductor - NTMFS4C35NT1G

KEY Part #: K6397292

NTMFS4C35NT1G Preise (USD) [241532Stück Lager]

  • 1 pcs$0.15390
  • 1,500 pcs$0.15314
Artikelnummer:
NTMFS4C35NT1G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - RF, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Single and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NTMFS4C35NT1G elektronische Komponenten. NTMFS4C35NT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NTMFS4C35NT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS4C35NT1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : NTMFS4C35NT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2300pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 780mW (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall : 8-PowerTDFN

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