STQ2HNK60ZR-AP Preise (USD) [256826Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STQ2HNK60ZR-AP
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - RF and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP elektronische Komponenten. STQ2HNK60ZR-AP kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STQ2HNK60ZR-AP haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
STQ2HNK60ZR-AP Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STQ2HNK60ZR-AP
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
Serie :
SuperMESH™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
500mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-92-3
Paket / fall :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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