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EPC - EPC2100ENGRT

KEY Part #: K6523298

EPC2100ENGRT Preise (USD) [19847Stück Lager]

  • 1 pcs$2.29566
  • 500 pcs$2.28424
Artikelnummer:
EPC2100ENGRT
Hersteller:
EPC
Detaillierte Beschreibung:
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Single, Leistungstreibermodule and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf EPC EPC2100ENGRT elektronische Komponenten. EPC2100ENGRT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EPC2100ENGRT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2100ENGRT Produkteigenschaften

Artikelnummer : EPC2100ENGRT
Hersteller : EPC
Beschreibung : GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Serie : eGaN®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Leistung max : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
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