IPC60R3K3C6X1SA1 Preise (USD) [433209Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPC60R3K3C6X1SA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH BARE DIE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - JFETs, Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPC60R3K3C6X1SA1 elektronische Komponenten. IPC60R3K3C6X1SA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPC60R3K3C6X1SA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPC60R3K3C6X1SA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPC60R3K3C6X1SA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH BARE DIE
Serie :
*
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
-
Technologie :
-
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
-
Supplier Device Package :
-
Paket / fall :
-
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