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- Artikelnummer:
- IRF6607
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF6607 elektronische Komponenten. IRF6607 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF6607 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF6607 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF6607
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
27A (Ta), 94A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
75nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6930pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ MT
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric MT
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