Artikelnummer :
STB25NM60ND
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2400pF @ 50V
Verlustleistung (max.) :
160W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB