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- Artikelnummer:
- STI15NM60ND
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STI15NM60ND elektronische Komponenten. STI15NM60ND kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STI15NM60ND haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
STI15NM60ND Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STI15NM60ND
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK
Serie :
FDmesh™ II
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
299 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1250pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I2PAK
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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