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- Artikelnummer:
- EPC2012C
- Hersteller:
- EPC
- Detaillierte Beschreibung:
- GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - JFETs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf EPC EPC2012C elektronische Komponenten. EPC2012C kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EPC2012C haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
EPC2012C Produkteigenschaften
Artikelnummer :
EPC2012C
Hersteller :
EPC
Beschreibung :
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.3nC @ 5V
Vgs (Max) :
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Die Outline (4-Solder Bar)
Paket / fall :
Die
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