Vishay Siliconix - SIHA12N60E-E3

KEY Part #: K6393242

SIHA12N60E-E3 Preise (USD) [33639Stück Lager]

  • 1 pcs$1.22515
  • 10 pcs$1.05069
  • 100 pcs$0.84439
  • 500 pcs$0.65675
  • 1,000 pcs$0.54417

Artikelnummer:
SIHA12N60E-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Single and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIHA12N60E-E3 elektronische Komponenten. SIHA12N60E-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIHA12N60E-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA12N60E-E3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SIHA12N60E-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 937pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 33W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220 Full Pack
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Sie könnten auch interessiert sein an
  • VN1206L-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3.

  • FDD86252

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 5A DPAK.

  • FDD3690

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK.

  • FDD390N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 26A DPAK.

  • TK10A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS.

  • R6012ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM.