Artikelnummer :
SCT2H12NZGC11
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 900µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
184pF @ 800V
Verlustleistung (max.) :
35W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3PFM
Paket / fall :
TO-3PFM, SC-93-3