SIZ200DT-T1-GE3 Preise (USD) [192003Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIZ200DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH DUAL 30V.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIZ200DT-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIZ200DT-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIZ200DT-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIZ200DT-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIZ200DT-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH DUAL 30V
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Leistung max :
4.3W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerWDFN
Supplier Device Package :
8-PowerPair® (3.3x3.3)
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