Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GP300TD60S

KEY Part #: K6533496

VS-GP300TD60S Preise (USD) [815Stück Lager]

  • 12 pcs$68.63722

Artikelnummer:
VS-GP300TD60S
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
IGBT.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Module and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GP300TD60S elektronische Komponenten. VS-GP300TD60S kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VS-GP300TD60S haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GP300TD60S Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-GP300TD60S
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : IGBT
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : PT, Trench
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 580A
Leistung max : 1136W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.45V @ 15V, 300A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 150µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : -
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Dual INT-A-PAK (3 + 8)
Supplier Device Package : Dual INT-A-PAK