Infineon Technologies - BSC020N03LSGATMA2

KEY Part #: K6420170

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Artikelnummer:
BSC020N03LSGATMA2
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
LV POWER MOS.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Thyristoren - TRIACs ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC020N03LSGATMA2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSC020N03LSGATMA2
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : LV POWER MOS
Serie : *
Teilestatus : Active
FET-Typ : -
Technologie : -
Drain-Source-Spannung (Vdss) : -
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : -
Supplier Device Package : -
Paket / fall : -

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