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- Artikelnummer:
- IRFZ34NL
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 29A TO-262.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRFZ34NL elektronische Komponenten. IRFZ34NL kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFZ34NL haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRFZ34NL Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFZ34NL
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-262
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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