CSD19532Q5BT Preise (USD) [54245Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- CSD19532Q5BT
- Hersteller:
- Texas Instruments
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 100A VSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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CSD19532Q5BT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CSD19532Q5BT
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 100A VSON
Serie :
NexFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.9 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4810pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.1W (Ta), 195W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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