Microsemi Corporation - APT18M100B

KEY Part #: K6395267

APT18M100B Preise (USD) [8145Stück Lager]

1 pcs$5.56163
10 pcs$5.00635
100 pcs$4.11645
500 pcs$3.44890

Artikelnummer:: APT18M100B

Hersteller:: Microsemi Corporation

Detaillierte Beschreibung:: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247.

Standardlieferzeit des Herstellers:: Auf Lager

Haltbarkeit:: Ein Jahr

Chip von:: Hongkong

RoHS:

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GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT18M100B Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT18M100B

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4845pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 625W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-247 [B]

Paket / fall : TO-247-3

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