APT18M100B Preise (USD) [8145Stück Lager]
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- 100 pcs$4.11645
- 500 pcs$3.44890
- Artikelnummer:
- APT18M100B
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APT18M100B Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT18M100B
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
700 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
150nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4845pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
625W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247 [B]
Paket / fall :
TO-247-3
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