Artikelnummer :
IXTQ102N20T
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
102A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
114nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6800pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
750W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3P
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3