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- Artikelnummer:
- IPI072N10N3GXK
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Single and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IPI072N10N3GXK Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPI072N10N3GXK
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Serie :
OptiMOS™ 3
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4910pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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