TN0110N3-G-P002 Preise (USD) [126107Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TN0110N3-G-P002
- Hersteller:
- Microchip Technology
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microchip Technology TN0110N3-G-P002 elektronische Komponenten. TN0110N3-G-P002 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TN0110N3-G-P002 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TN0110N3-G-P002 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TN0110N3-G-P002
Hersteller :
Microchip Technology
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
350mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
60pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-92-3
Paket / fall :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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