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Microsemi Corporation - APT25SM120B

KEY Part #: K6401734

[2947Stück Lager]

    Artikelnummer:
    APT25SM120B
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    POWER MOSFET - SIC.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT25SM120B elektronische Komponenten. APT25SM120B kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT25SM120B haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT25SM120B Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APT25SM120B
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : POWER MOSFET - SIC
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 175 mOhm @ 10A, 20V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 20V
    Vgs (Max) : +25V, -10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 175W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-247
    Paket / fall : TO-247-3

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