NTMD4184PFR2G Preise (USD) [391793Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NTMD4184PFR2G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - JFETs, Transistoren - spezieller Zweck and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NTMD4184PFR2G elektronische Komponenten. NTMD4184PFR2G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NTMD4184PFR2G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NTMD4184PFR2G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NTMD4184PFR2G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
360pF @ 10V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
770mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SOIC
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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