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Microsemi Corporation - APT40SM120S

KEY Part #: K6402718

APT40SM120S Preise (USD) [2607Stück Lager]

  • 1 pcs$13.88047
  • 10 pcs$12.83851
  • 25 pcs$11.79729
  • 100 pcs$10.96460
Artikelnummer:
APT40SM120S
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Dioden - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT40SM120S elektronische Komponenten. APT40SM120S kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT40SM120S haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT40SM120S Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT40SM120S
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 41A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 20V
Vgs (Max) : +25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2560pF @ 1000V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 273W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D3Pak
Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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