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- Artikelnummer:
- IRL510STRL
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Single and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRL510STRL elektronische Komponenten. IRL510STRL kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRL510STRL haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRL510STRL Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRL510STRL
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 3.4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.1nC @ 5V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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