TK31V60W5,LVQ Preise (USD) [47544Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK31V60W5,LVQ
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - JFETs and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
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TK31V60W5,LVQ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK31V60W5,LVQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
Serie :
DTMOSIV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
109 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3000pF @ 300V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
240W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
4-DFN-EP (8x8)
Paket / fall :
4-VSFN Exposed Pad
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