FCB110N65F Preise (USD) [33558Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FCB110N65F
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FCB110N65F Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FCB110N65F
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Serie :
FRFET®, SuperFET® II
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 3.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
145nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4895pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
357W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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