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- Artikelnummer:
- BSZ042N06NSATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSZ042N06NSATMA1 elektronische Komponenten. BSZ042N06NSATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSZ042N06NSATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSZ042N06NSATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSZ042N06NSATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
17A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 36µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TSDSON-8-FL
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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