APTSM120AM55CT1AG Preise (USD) [657Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APTSM120AM55CT1AG
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- POWER MODULE - SIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTSM120AM55CT1AG elektronische Komponenten. APTSM120AM55CT1AG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTSM120AM55CT1AG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
APTSM120AM55CT1AG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTSM120AM55CT1AG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
POWER MODULE - SIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
272nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5120pF @ 1000V
Leistung max :
470W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP1
Supplier Device Package :
SP1
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