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- Artikelnummer:
- FQB7N10TM
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Single and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQB7N10TM elektronische Komponenten. FQB7N10TM kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQB7N10TM haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FQB7N10TM Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQB7N10TM
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.75W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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