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- Artikelnummer:
- IRF7820PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRF7820PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF7820PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
78 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1750pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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