Vishay Siliconix - SI1056X-T1-GE3

KEY Part #: K6406426

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    Artikelnummer:
    SI1056X-T1-GE3
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 20V SC-89-6.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI1056X-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI1056X-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI1056X-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1056X-T1-GE3 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SI1056X-T1-GE3
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET N-CH 20V SC-89-6
    Serie : TrenchFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 89 mOhm @ 1.32A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.7nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±8V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 236mW (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : SC-89-6
    Paket / fall : SOT-563, SOT-666

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