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- Artikelnummer:
- RCD075N19TL
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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RCD075N19TL Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RCD075N19TL
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
190V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
336 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
850mW (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
CPT3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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