FDB031N08 Preise (USD) [29355Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDB031N08
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Thyristoren - TRIACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDB031N08 elektronische Komponenten. FDB031N08 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDB031N08 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDB031N08 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDB031N08
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.1 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
220nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
15160pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
375W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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