Vishay Siliconix - SQJ912BEP-T1_GE3

KEY Part #: K6525259

SQJ912BEP-T1_GE3 Preise (USD) [152759Stück Lager]

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Artikelnummer:
SQJ912BEP-T1_GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ912BEP-T1_GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SQJ912BEP-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 25V
Leistung max : 48W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual