IXTF200N10T Preise (USD) [13495Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTF200N10T
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Leistungstreibermodule, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTF200N10T elektronische Komponenten. IXTF200N10T kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTF200N10T haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTF200N10T Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTF200N10T
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
Serie :
TrenchMV™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
152nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9400pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
156W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
ISOPLUS i4-PAC™
Paket / fall :
i4-Pac™-5
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