IXYS - IXFQ60N50P3

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Artikelnummer:
IXFQ60N50P3
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 60A TO3P.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ60N50P3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFQ60N50P3
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 60A TO3P
Serie : HiPerFET™, Polar3™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6250pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1040W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-3P
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

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