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- Artikelnummer:
- FDMB3800N
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDMB3800N elektronische Komponenten. FDMB3800N kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDMB3800N haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDMB3800N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDMB3800N
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
465pF @ 15V
Leistung max :
750mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerWDFN
Supplier Device Package :
8-MLP, MicroFET (3x1.9)
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