Toshiba Semiconductor and Storage - TK12E80W,S1X

KEY Part #: K6398453

TK12E80W,S1X Preise (USD) [28338Stück Lager]

  • 1 pcs$1.59974
  • 50 pcs$1.28711
  • 100 pcs$1.17266
  • 500 pcs$0.90087
  • 1,000 pcs$0.75977

Artikelnummer:
TK12E80W,S1X
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - spezieller Zweck and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W,S1X elektronische Komponenten. TK12E80W,S1X kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TK12E80W,S1X haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK12E80W,S1X Produkteigenschaften

Artikelnummer : TK12E80W,S1X
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Serie : DTMOSIV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 570µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 300V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 165W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220
Paket / fall : TO-220-3

Sie könnten auch interessiert sein an
  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • TN0610N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.

  • VN0606L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3.

  • VP0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3.

  • TK10A80W,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS.

  • TK1K9A60F,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-.