TK1K9A60F,S4X Preise (USD) [102769Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK1K9A60F,S4X
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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TK1K9A60F,S4X Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK1K9A60F,S4X
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Serie :
U-MOSIX
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 400µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
490pF @ 300V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
30W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220SIS
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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