Infineon Technologies - IRF7466PBF

KEY Part #: K6411522

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    Artikelnummer:
    IRF7466PBF
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Dioden - Gleichrichter - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF7466PBF elektronische Komponenten. IRF7466PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF7466PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7466PBF Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRF7466PBF
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.5 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 15V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : 8-SO
    Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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