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- Artikelnummer:
- IPD042P03L3GBTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IPD042P03L3GBTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD042P03L3GBTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 270µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
175nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
12400pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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