DMN30H4D0LFDE-7 Preise (USD) [432148Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN30H4D0LFDE-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - JFETs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN30H4D0LFDE-7 elektronische Komponenten. DMN30H4D0LFDE-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN30H4D0LFDE-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN30H4D0LFDE-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN30H4D0LFDE-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
550mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
187.3pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
630mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
U-DFN2020-6 (Type E)
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
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