BSZ215CHXTMA1 Preise (USD) [182640Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSZ215CHXTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSZ215CHXTMA1 elektronische Komponenten. BSZ215CHXTMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSZ215CHXTMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSZ215CHXTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSZ215CHXTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel Complementary
FET-Funktion :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 110µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
419pF @ 10V
Leistung max :
2.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
PG-TSDSON-8
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