FDFME3N311ZT Preise (USD) [2066Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDFME3N311ZT
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDFME3N311ZT elektronische Komponenten. FDFME3N311ZT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDFME3N311ZT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDFME3N311ZT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDFME3N311ZT
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
75pF @ 15V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-MicroFET (1.6x1.6)
Paket / fall :
6-UFDFN Exposed Pad
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