STW25N60M2-EP Preise (USD) [37938Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STW25N60M2-EP
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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STW25N60M2-EP Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STW25N60M2-EP
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Serie :
MDmesh™ M2-EP
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
188 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.75V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1090pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247
Paket / fall :
TO-247-3
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